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耐电流冲击
产品抗浪涌电流设计余量足。IDM指标可达到ID指标的5倍以上
内阻小
相同面积下,通过先进的制程工艺,获得了更低的RDSON指标
高反向耐压
采用高级别材料,同时设计余量足,使得产品耐压可比标称值高出20%以上。耐冲击电压更强。
拥有更小的体积
得益于芯片设计和制程工艺的提升。可以将相同参数的产品放入更小的封装外形内,缩小PCB面积。
地址:深圳市光明区凤凰街道凤凰社区观光路招商局光明科技园A3栋B401-2
邮箱:
bote-financial@bote-semi.com
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