首页
关于博特
公司简介
公司实景
技术优势
视频中心
人才招聘
产品中心
低内阻MOSFET
超结MOSFET
中低压SGT MOSFET
高压平面MOSFET
碳化硅功率器件
应用领域
逆变器
新能源
通讯
3C电子
汽车电子
医疗
质量管理
新闻中心
公司动态
行业新闻
联系我们
EN
您的位置:
首页
>
关于博特
>
技术优势
内阻小
浏览次数:
554
相同面积下,通过先进的制程工艺,获得了更低的RDSON指标
相同面积下,通过先进的制程工艺,获得了更低的RDSON指标
上一个:
拥有更小的体积
下一个:
耐电流冲击
地址:深圳市光明区凤凰街道凤凰社区观光路招商局光明科技园A3栋B401-2
邮箱:
bote-financial@bote-semi.com
Copyright © 2024
深圳市博特半导体有限公司
备案号:
粤ICP备2023024423号
技术支持:
博盈网络营销
/technicalshow/neizuxiao.html
technicalshow
5
秒后自动关闭
填写表单,获取产品询盘报价
X
*
*
*
*
微信咨询
xwb272
询盘报价
返回顶部