技术介绍:
屏蔽栅沟槽MOSFET(Shielded Gate Trench Mosfet)功率器件是基于传统沟槽式的一种改进型沟槽功率mos 通过多晶硅场板的引入显著地降低了米勒电容,同时依靠厚氧化层的电荷感应效应,在传统Trench MOSFET垂直耗尽(p-body/n-epi结)基础上引入耗尽,在深Trench底部引入一个新的电场尖峰,由此将漂移区电场由三角形分布改变为近似矩形分布,在实现同样的击穿电压时降低了漂移区电阻,从而显著降低了器件的单位面积导通电阻。
产品特点:
1、更低的导通电阻 Ronsp
2、更快的开关速度
3、更低的驱动损耗
主要应用领域:
1、无线充
2、DC-DC
3、电机驱动
4、无人机
5、开关电源
6、BMS
7、同步整流