低内阻MOSFET|超结MOSFET|中低压SGT MOSFET|高压平面MOSFET|PD充电器专用|SiC功率器件-深圳市博特半导体有限公司

超结MOSFET

技术介绍：

超结 mosFET(Metal oxide Semiconductor Field Effect Transistor )在传统的VDMOS 的基础上，通过交替排布的P型柱，引入一个横向电场，使超结MOSFET垂直方向上的电场分布近似于矩形，在相同外延电阻的条件下，明显提高了产品的耐压。对于相同耐压的产品，超结MOSFET相比传统的VDmos，单位面积导通电阻减低原来的八分之一以内，显著提升了器件性能。

产品特点：

1、更低的导通电阻

2、更快的开关速度

3、更高密度封装

4、更完善的产品系列

主要应用领域：

1、车载充电机（OBC )

2、服务器电源

3、通讯电源

4、车载DC/DC

5、充电桩

6、充电器

7、适配器

8、TV电源

9、新能源

10、LED

11、PC电源

Part Number	Voltage level	VDS (V)	ID (A) 25℃	PD(W) 25℃	RDS(ON)(Ω) (VGS=10V)		Qg(nC) (VGS=10V)	VGS(th) (V)	VGS(V) Min/Typ/Max	Package	PDF
Part Number	Voltage level	VDS (V)	ID (A) 25℃	PD(W) 25℃	Typ.	Max.	Typ.	VGS(th) (V)	VGS(V) Min/Typ/Max	Package	PDF
BTF55R140A	550V	550	23	34	0.11	0.14	40	±30	2.5/3.5/5.0	TO-220F
BTX80R350A	800V	800	15	160	0.28	0.35	39	±30	2.5/3.5/4.5	TO-247, TO-220, TO-220F, TO-263
BTF80R680A	800V	800	8.8	29	0.58	0.68	21	±30	2.5/3.5/4.5	TO-220F
BTX80R980A	800V	800	5	29	0.88	0.98	14.5	±30	2.5/3.5/4.5	TO-220F, TO-252
BTW65R031A	650V	650	100	735	0.028	0.031	172.4	±30	3.0/3.5/4.5	TO-247
BTW65R041A	650V	650	78	500	0.036	0.041	110	±30	2.5/3.5/5.0	TO-247
BTW65R070A	650V	650	47	290	0.062	0.070	87	±30	2.5/3.0/5.0	TO-247
BTF65R099A	650V	650	13	36.8	0.088	0.099	54.5	±30	2.5/3.5/4.5	TO-220F
BTF65R125A	650V	650	25	34.7	0.115	0.125	43	±30	2.5/3.5/4.5	TO-220F
BTF65R180A	650V	650	20	34	0.16	0.18	40.2	±30	2.5/3.5/4.5	TO-220F
BTF65R280A	650V	650	7	29.8	0.24	0.28	22	±30	2.5/3.5/4.5	TO-220F
BTF65R380A	650V	650	10	30	0.34	0.38	21	±30	2.5/3.5/5.0	TO-220F
BTF65R310A	650V	650	11	30.8	0.26	0.31	21.8	±30	2.5/3.0/4.5	TO-220F
BTF65R570A	650V	650	7	28	0.49	0.57	16.3	±30	2.5/3.5/4.5	TO-220F
BTF70R640A	650V	700	7	28	0.57	0.64	15	±30	2.5/3.5/4.5	TO-220F